DTB123ECT116

Name: ROHM Semiconductor DTB123ECT116
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.9 (19 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Date Sheet

Lagernummer 48

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Рабочая температура (макс.)：150°C
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Максимальная потеря мощности：200mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Мощность - Макс：200mW
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
Максимальный ток сбора：500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：39 @ 50mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 2.5mA, 50mA
Частота перехода：200MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：200MHz
База (R1)：2.2 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)：2.2 k Ω
Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 48

Итого $0.00000