Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC114TETL
Изображение служит лишь для справки
DTC114TETL
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-75, SOT-416
- TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SC-75, SOT-416
- Number of Pins：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2006
- JESD-609 Code：e1
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Termination：SMD/SMT
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Additional Feature：BUILT-IN BIAS RESISTOR
- HTS Code：8541.21.00.75
- Voltage - Rated DC：50V
- Max Power Dissipation：150mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：100mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：10
- Base Part Number：DTC114
- Pin Count：3
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：150mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：NPN - Pre-Biased
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 1mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 1mA, 10mA
- Transition Frequency：250MHz
- Max Breakdown Voltage：50V
- Frequency - Transition：250MHz
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Resistor - Base (R1)：10 k Ω
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты