Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSM3K7002CFU,LF

Изображение служит лишь для справки






SSM3K7002CFU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-70, SOT-323
- MOSFET N-CH 60V 0.17A SMD
Date Sheet
Lagernummer 79652
- 1+: $0.11381
- 10+: $0.10737
- 100+: $0.10129
- 500+: $0.09556
- 1000+: $0.09015
Zwischensummenbetrag $0.11381
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:170mA Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:150mW Ta
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:U-MOSVII-H
- Опубликовано:2015
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.9 Ω @ 100mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:17pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.35nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):170mA
- Максимальный сливовой ток (ID):0.17A
- Сопротивление открытого канала-макс:4.7Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:60V
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 79652
- 1+: $0.11381
- 10+: $0.10737
- 100+: $0.10129
- 500+: $0.09556
- 1000+: $0.09015
Итого $0.11381