Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK754R3-40B
Изображение служит лишь для справки
BUK754R3-40B
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 75A, 40V, 0.0043ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Voltage Rating (DC)：40 V
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：95 ns
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：BUK754R3-40B
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Nexperia
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：NEXPERIA
- Risk Rank：5.24
- Drain Current-Max (ID)：75 A
- JESD-609 Code：e3
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Operating Temperature：175 °C
- Min Operating Temperature：-55 °C
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Current Rating：37 A
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：254 W
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Rise Time：55 ns
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Continuous Drain Current (ID)：176 A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20 V
- Drain-source On Resistance-Max：0.0043 Ω
- Drain to Source Breakdown Voltage：40 V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：706 A
- DS Breakdown Voltage-Min：40 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：961 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Drain to Source Resistance：4.3 mΩ
- Lead Free：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты