Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK6507-75C
Изображение служит лишь для справки
BUK6507-75C
- NXP USA Inc.
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 100A, 75V, 0.0103ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BUK6507-75C
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Nexperia
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:NEXPERIA
- Ранг риска:5.76
- Максимальный ток утечки (ID):100 A
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0103 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:406 A
- Минимальная напряжённость разрушения:75 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):191 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000