Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJD9N10A_L2_00001
Изображение служит лишь для справки
PJD9N10A_L2_00001
-
Panjit
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Power Field-Effect Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 12714
- 1+： $0.66884
- 10+： $0.63098
- 100+： $0.59526
- 500+： $0.56157
- 1000+： $0.52978
Zwischensummenbetrag $0.66884
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：TO-252
- РХОС：Non-Compliant
- Вес единицы：0.010229 oz
- Пакетная партия производителя：3000
- Производитель：Panjit
- Бренд：Panjit
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.4A (Ta), 9A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta), 31W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Серия：NFET-100SMN
- Пакетирование：MouseReel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：152mOhm @ 4.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1021 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：19 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 12714
- 1+： $0.66884
- 10+： $0.63098
- 100+： $0.59526
- 500+： $0.56157
- 1000+： $0.52978
Итого $0.66884
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты