Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MP4209
Изображение служит лишь для справки
MP4209
- Toshiba
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- TRANSISTOR 3 A, 100 V, 0.45 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, PLASTIC, 2-25A1C, SIP-10, FET General Purpose Power
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:10
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Non-Compliant
- Описание пакета:IN-LINE, R-PSIP-T10
- Форма упаковки:IN-LINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс:150 °C
- Артикул Производителя:MP4209
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов:2
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Ранг риска:5.82
- Максимальный ток утечки (ID):3 A
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:10
- Код JESD-30:R-PSIP-T10
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:2 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Напряжение стока-исток (Vdss):100 V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):3 A
- Максимальный сливовой ток (ID):3 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.45 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:12 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):140 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):4 W
Со склада 0
Итого $0.00000