(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные CEDM7001TR
Изображение служит лишь для справки
CEDM7001TR
-
Central Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-101, SOT-883
- Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ULTRA MINI-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-101, SOT-883
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：SOT-883
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100mA (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.5V, 4V
- Максимальная мощность рассеяния：100mW (Ta)
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：HALOGEN FREE AND ULTRA MINI-3
- Форма упаковки：CHIP CARRIER
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：CEDM7001TR
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Central Semiconductor Corp
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска：5.04
- Максимальный ток утечки (ID)：0.1 A
- Рабочая температура：-65°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：--
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Состояние изделия：Active
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：3 Ω
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Максимальная потеря мощности：100 mW
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-XBCC-N3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：100 mW
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3 Ohm @ 10mA, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id：900mV @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9pF @ 3V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.57nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：10V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：100 mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10 V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.2 A
- Сопротивление открытого канала-макс：3 Ω
- Напряжение пробоя стока к истоку：20 V
- Входной ёмкости：9 pF
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.1 W
- Характеристика ТРП：--
- Сопротивление стока к истоку：900 mΩ
- Rds на макс.：3 Ω
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
