MG100Q2YS51

Name: Toshiba MG100Q2YS51
Brand: Toshiba
Rating: 4.7 (20 reviews)

Toshiba
Дискретные полупроводниковые
-
TRANSISTOR 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, 2-109C4A, 7 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：7
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：Non-Compliant
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Время включения (тон)：200 ns
Время отключения (toff)：600 ns
Температура работы-Макс：150 °C
Артикул Производителя：MG100Q2YS51
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Toshiba America Electronic Components
Количество элементов：2
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：TOSHIBA CORP
Ранг риска：5.1
Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-XUFM-X7
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальная потеря мощности (абс.)：660 W
Максимальный ток коллектора (IC)：150 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
Максимальное напряжение на выходе：3.6 V

Со склада 0

Итого $0.00000