Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы GT100N12T
Изображение служит лишь для справки
GT100N12T
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- TO-220-3
- 120V 70A 120W 8mΩ@10V,35A 3V@250uA 22pF@50V N Channel 3050pF@50V 50nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) TO-220 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 196
- 1+： $1.54209
- 10+： $1.45480
- 100+： $1.37245
- 500+： $1.29477
- 1000+： $1.22148
Zwischensummenbetrag $1.54209
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Supplier Device Package：TO-220
- Package：Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：70A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：120W (Tc)
- Product Status：Active
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：-
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：10mOhm @ 35A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3050 pF @ 60 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：50 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：120 V
- Vgs (Max)：±20V
- FET Feature：-
Со склада 196
- 1+： $1.54209
- 10+： $1.45480
- 100+： $1.37245
- 500+： $1.29477
- 1000+： $1.22148
Итого $1.54209
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты