Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы G18P03D3
Изображение служит лишь для справки
G18P03D3
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerVDFN
- 30V 28A 7mΩ@10V,10A 40W 1.4V@250uA 295pF@15V P Channel 2060pF@15V 30nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) DFN3x3-8L MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 29
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerVDFN
- Supplier Device Package：8-DFN (3.15x3.05)
- Package：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：40W (Tc)
- Product Status：Active
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：-
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：P-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：10mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2060 pF @ 15 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：30 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30 V
- Vgs (Max)：±20V
- FET Feature：-
Со склада 29
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты