(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFF223
Изображение служит лишь для справки
IRFF223
-
Harris Corporation
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-205AF Metal Can
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 1427
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-205AF Metal Can
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：TO-205AF (TO-39)
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Harris Corporation
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：20W (Tc)
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：IRFF223
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.39
- Максимальный ток утечки (ID)：3 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.2Ohm @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：450 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：150 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-205AF
- Сопротивление открытого канала-макс：1.2 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：12 A
- Минимальная напряжённость разрушения：150 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：-
Со склада 1427
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
