BSM180C12P3C202

Name: Rohm Semiconductor BSM180C12P3C202
Brand: Rohm Semiconductor
Price: 340.310057 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (17 reviews)

Rohm Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
Module
SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Date Sheet

Lagernummer 2097

1+： $340.31006
10+： $321.04722
100+： $302.87474
500+： $285.73089
1000+： $269.55744

Zwischensummenbetrag $340.31006

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：17 Weeks
Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：Module
Поставщик упаковки устройства：Module
Mfr：Rohm Semiconductor
Пакет：Bulk
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：180A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：-
Максимальная мощность рассеяния：880W (Tc)
Основной номер продукта：BSM180
Прямоходящий ток вывода Id：180
Непрерывный ток стока：180(A)
Дrain-Source On-Volt：1200(V)
Классификация Температурной Выносливости：Automotive
Диапазон рабочей температуры：-40C to 150C
Допустимый напряжений на затвор-исток：22(V)
Режим канала：Enhancement
Количество элементов：1
Квантовозащитный：No
Монтаж：Screw
Обратное напряжение：1200 V
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1200 V
Время типичного задержки включения：30 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5.6 V
Распад мощности：880 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 6 V, + 22 V
Минимальная температура работы：- 40 C
Пакетная партия производителя：12
Монтажные варианты：Screw Mounts
Производитель：ROHM Semiconductor
Бренд：ROHM Semiconductor
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：165 ns
Id - Непрерывный ток разряда：180 A
Описание пакета：,
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：BSM180C12P3C202
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：ROHM CO LTD
Ранг риска：2.23
Серия：-
Рабочая температура：-40°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Tray
Тип：Power MOSFET
Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：10
Входной напряжение питания：-
Направленность：N
Распад мощности：880
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：-
Втс(th) (Макс) @ Id：5.6V @ 50mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9000 pF @ 10 V
Время подъема：45 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：1200 V
Угол настройки (макс.)：+22V, -4V
Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Продукт：Power MOSFET Modules
Вф - Напряжение прямого тока：1.6 V
Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules

Со склада 2097

1+： $340.31006
10+： $321.04722
100+： $302.87474
500+： $285.73089
1000+： $269.55744

Итого $340.31006