TK25S06N1L,LXHQ

Name: Toshiba Semiconductor and Storage TK25S06N1L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 5 (12 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 833

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поставщик упаковки устройства：DPAK+
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：25A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：57W (Tc)
Основной номер продукта：TK25S06
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Время типичного задержки включения：14 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.5 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：57 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.012699 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：TK25S06N1L,LXHQ(O
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：15 nC
Торговое наименование：U-MOSVIII-H
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：36.8 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：23 ns
Id - Непрерывный ток разряда：25 A
Серия：U-MOSVIII-H
Рабочая температура：175°C
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：36.8mOhm @ 12.5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：855 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15 nC @ 10 V
Время подъема：8 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 833

Итого $0.00000