IPD90R1K2C3ATMA2

Name: Infineon Technologies IPD90R1K2C3ATMA2
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.7 (6 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
Date Sheet

Lagernummer 2049

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поставщик упаковки устройства：PG-TO252-3
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：5.1A
Mfr：Infineon Technologies
Пакет：Tape & Reel (TR)
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：83W (Tc)
Основной номер продукта：IPD90
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：900 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
Распад мощности：83 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.011640 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：IPD90R1K2C3 SP002548874
Производитель：Infineon
Бренд：Infineon Technologies
Зарядная характеристика ворот：28 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.2 Ohms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：5.1 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：83W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 0.31mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：710 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.2 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：900 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 2049

Итого $0.00000