(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MMSF4N01HDR2
Изображение служит лишь для справки
MMSF4N01HDR2
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 84037
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Mfr：onsemi
- Описание пакета：SO-8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：MMSF4N01HDR2
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.39
- Код упаковки компонента：SOT
- Максимальный ток утечки (ID)：5.8 A
- Серия：*
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.045 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：230 pF
Со склада 84037
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
