Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 788

  • 1+: $976.97198
  • 10+: $921.67168
  • 100+: $869.50159
  • 500+: $820.28452
  • 1000+: $773.85332

Zwischensummenbetrag $976.97198

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Chassis Mount
  • Корпус / Кейс:Module
  • Поставщик упаковки устройства:SP6C
  • Mfr:Microchip Technology
  • Пакет:Tube
  • Состояние продукта:Active
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:733A (Tc)
  • Основной номер продукта:MSCSM120
  • Обратное напряжение:1200 V
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1200 V
  • Время типичного задержки включения:56 ns
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.8 V
  • Распад мощности:2970 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 125 C
  • Усв:- 10 V, 25 V
  • Минимальная температура работы:- 40 C
  • Пакетная партия производителя:1
  • Монтажные варианты:Screw Mount
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip Technology / Atmel
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:3.5 mOhms
  • РХОС:Details
  • Время задержки отключения типичного:166 ns
  • Id - Непрерывный ток разряда:733 A
  • Серия:-
  • Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Пакетирование:Bulk
  • Тип:Phase Leg
  • Подкатегория:Discrete Semiconductor Modules
  • Технология:SiC
  • Мощность - Макс:2.97kW (Tc)
  • Тип ТРВ:2 N Channel (Phase Leg)
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.5mOhm @ 360A, 20V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:2.8V @ 9mA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:27000pF @1000V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:2088nC @ 20V
  • Время подъема:55 ns
  • Напряжение стока-исток (Vdss):1200V (1.2kV)
  • Тип продукта:Discrete Semiconductor Modules
  • Характеристика ТРП:Silicon Carbide (SiC)
  • Продукт:Power MOSFET Modules
  • Вф - Напряжение прямого тока:1.5 V at 270 A
  • Категория продукта:Discrete Semiconductor Modules

Со склада 788

  • 1+: $976.97198
  • 10+: $921.67168
  • 100+: $869.50159
  • 500+: $820.28452
  • 1000+: $773.85332

Итого $976.97198