QS6K1FRATR

Name: Rohm Semiconductor QS6K1FRATR
Brand: Rohm Semiconductor
Rating: 4.9 (11 reviews)

Rohm Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRE
Date Sheet

Lagernummer 14589

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Поставщик упаковки устройства：TSMT6 (SC-95)
Mfr：Rohm Semiconductor
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1A (Ta)
Основной номер продукта：QS6K1
Непрерывный ток стока：1(A)
Дrain-Source On-Volt：30(V)
Классификация Температурной Выносливости：Military
Формат упаковки：TSMT
Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
Допустимый напряжений на затвор-исток：12(V)
Режим канала：Enhancement
Количество элементов：2
Квантовозащитный：No
Монтаж：Surface Mount
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Время типичного задержки включения：7 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：500 mV
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：1.25 W
Полярность транзистора：N-Channel, NPN
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 12 V, + 12 V
Вес единицы：0.000353 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Партийные обозначения：QS6K1FRA
Производитель：ROHM Semiconductor
Бренд：ROHM Semiconductor
Зарядная характеристика ворот：1.7 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：170 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：15 ns
Id - Непрерывный ток разряда：1 A
Серия：Automotive, AEC-Q101
Рабочая температура：150°C
Пакетирование：Tape and Reel
Тип：Power MOSFET
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Число контактов：6
Направленность：N
Конфигурация：Dual
Каналов количество：2 Channel
Распад мощности：1.25(W)
Мощность - Макс：900mW (Tc)
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：238mOhm @ 1A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2.4nC @ 4.5V
Время подъема：7 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：2 N-Channel
Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 2.5V Drive
Категория продукта：MOSFET

Со склада 14589

Итого $0.00000