Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQ2318AES-T1_BE3
Изображение служит лишь для справки
SQ2318AES-T1_BE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Date Sheet
Lagernummer 58103
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Supplier Device Package：SOT-23-3 (TO-236)
- Mfr：Vishay Siliconix
- Product Status：Active
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Power Dissipation (Max)：3W (Tc)
- Base Product Number：SQ2318
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：40 V
- Typical Turn-On Delay Time：7.5 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.5 V
- Pd - Power Dissipation：3 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：SQ2318AES-T1_GE3
- Manufacturer：Vishay
- Brand：Vishay / Siliconix
- Qg - Gate Charge：8.7 nC
- Tradename：TrenchFET
- Rds On - Drain-Source Resistance：31 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：12 ns
- Id - Continuous Drain Current：8 A
- Operating Temperature：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Packaging：MouseReel
- Subcategory：MOSFETs
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：31mOhm @ 7.9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：553 pF @ 20 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13 nC @ 10 V
- Rise Time：8.4 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：40 V
- Vgs (Max)：±20V
- Product Type：MOSFET
- Transistor Type：1 N-Channel
- FET Feature：-
- Product Category：MOSFET
Со склада 58103
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты