Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFRC20TRPBF-BE3
Изображение служит лишь для справки
IRFRC20TRPBF-BE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 14973
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Supplier Device Package：TO-252AA
- Mfr：Vishay Siliconix
- Product Status：Active
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：2.5W (Ta), 42W (Tc)
- Base Product Number：IRFRC20
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：600 V
- Typical Turn-On Delay Time：10 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Pd - Power Dissipation：42 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Unit Weight：0.011640 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：IRFRC20TRPBF
- Manufacturer：Vishay
- Brand：Vishay / Siliconix
- Qg - Gate Charge：18 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：4.4 Ohms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：30 ns
- Id - Continuous Drain Current：2 A
- Series：-
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Packaging：MouseReel
- Subcategory：MOSFETs
- Configuration：Single
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.4Ohm @ 1.2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：350 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：18 nC @ 10 V
- Rise Time：23 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600 V
- Vgs (Max)：±20V
- Product Type：MOSFET
- Transistor Type：1 N-Channel
- FET Feature：-
- Product Category：MOSFET
Со склада 14973
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты