Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT34F60S/TR
Изображение служит лишь для справки
APT34F60S/TR
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK
Date Sheet
Lagernummer 15
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Supplier Device Package：D3PAK
- Mfr：Microchip Technology
- Product Status：Active
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：36A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：624W (Tc)
- Base Product Number：APT34F60
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：600 V
- Typical Turn-On Delay Time：37 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.5 V
- Pd - Power Dissipation：624 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Unit Weight：0.218699 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：400
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Forward Transconductance - Min：32 S
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：Microchip
- Brand：Microchip Technology
- Qg - Gate Charge：165 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：190 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：115 ns
- Id - Continuous Drain Current：36 A
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Packaging：Reel
- Subcategory：MOSFETs
- Configuration：Single
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：190mOhm @ 17A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：6640 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：165 nC @ 10 V
- Rise Time：43 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600 V
- Vgs (Max)：±30V
- Product Type：MOSFET
- Transistor Type：1 N-Channel
- FET Feature：-
- Product Category：MOSFET
Со склада 15
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты