(0)
Изображение служит лишь для справки
STGWA30IH65DF
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
Date Sheet
Lagernummer 21
- 1+： $3.03075
- 10+： $2.85920
- 100+： $2.69736
- 500+： $2.54468
- 1000+： $2.40064
Zwischensummenbetrag $3.03075
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-247 Long Leads
- Mfr：STMicroelectronics
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：60 A
- Условия испытания：400V, 30A, 22Ohm, 15V
- Основной номер продукта：STGWA30
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：±20V
- Формат упаковки：TO-247
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：650 V
- Распад мощности：180 W
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Вес единицы：0.215171 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：600
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：STMicroelectronics
- Бренд：STMicroelectronics
- Максимальный постоянный ток сбора коллектора Ic：30 A
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：650 V
- Серия：IH
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：IGBTs
- Технология：Si
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：180
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：180 W
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.05V @ 15V, 30A
- Прямоходящий ток коллектора：60
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：80 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：90 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：-/200ns
- Переключаемый энергопотребление：123μJ (off)
- Категория продукта：IGBT Transistors
Со склада 21
- 1+： $3.03075
- 10+： $2.85920
- 100+： $2.69736
- 500+： $2.54468
- 1000+： $2.40064
Итого $3.03075
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
