(0)
Изображение служит лишь для справки
IKW30N65ET7XKSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IKW30N65ET7XKSA1
Date Sheet
Lagernummer 190
- 1+： $3.01127
- 10+： $2.84082
- 100+： $2.68002
- 500+： $2.52832
- 1000+： $2.38521
Zwischensummenbetrag $3.01127
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO247-3
- Mfr：Infineon Technologies
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：30 A
- Условия испытания：400V, 30A, 10Ohm, 15V
- Основной номер продукта：IKW30N65
- MSL：-
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：240
- Монтажные варианты：Through Hole
- Партийные обозначения：IKW30N65ET7 SP005348289
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Торговое наименование：TRENCHSTOP
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：650 V
- Распад мощности：188 W
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 20 V, + 20 V
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：IGBTs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：188
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：188 W
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.65V @ 15V, 30A
- Прямоходящий ток коллектора：60
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：180 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：90 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：20ns/245ns
- Переключаемый энергопотребление：590μJ (on), 500μJ (off)
- Время обратной рекомпенсации (trr)：80 ns
- Категория продукта：IGBT Transistors
Со склада 190
- 1+： $3.01127
- 10+： $2.84082
- 100+： $2.68002
- 500+： $2.52832
- 1000+： $2.38521
Итого $3.01127
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
