(0)
Изображение служит лишь для справки
GT30J341,Q
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-3P-3, SC-65-3
- IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
Date Sheet
Lagernummer 18
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-3P-3, SC-65-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-3P(N)
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Пакет：Tray
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：59 A
- Условия испытания：300V, 30A, 24Ohm, 15V
- Основной номер продукта：GT30J341
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 25 V, + 25 V
- Распад мощности：230 W
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：100
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Максимальный постоянный ток сбора коллектора Ic：120 A
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：600 V
- Описание пакета：,
- Артикул Производителя：GT30J341,Q
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.67
- Серия：-
- Рабочая температура：175°C (TJ)
- Пакетирование：Tray
- Подкатегория：IGBTs
- Технология：Si
- Код соответствия REACH：unknown
- Конфигурация：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：230 W
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：600 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 30A
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：80ns/280ns
- Переключаемый энергопотребление：800μJ (on), 600μJ (off)
- Время обратной рекомпенсации (trr)：50 ns
- Категория продукта：IGBT Transistors
Со склада 18
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
