Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTTFS8D1N08HTAG
Изображение служит лишь для справки
NTTFS8D1N08HTAG
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerWDFN
- MOSFET N-CH 80V 14A/61A 8WDFN
Date Sheet
Lagernummer 2438
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerWDFN
- Supplier Device Package：8-WDFN (3.3x3.3)
- Mfr：onsemi
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：Active
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14A (Ta), 61A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V, 10V
- Power Dissipation (Max)：3.2W (Ta), 63W (Tc)
- Base Product Number：NTTFS8
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：80 V
- Typical Turn-On Delay Time：9.1 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Pd - Power Dissipation：63 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1500
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：onsemi
- Brand：onsemi
- Qg - Gate Charge：23 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：8.3 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：23.8 ns
- Id - Continuous Drain Current：61 A
- Series：-
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Packaging：Reel
- Subcategory：MOSFETs
- Configuration：Single
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：8.3mOhm @ 16A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 80μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1450 pF @ 20 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：23 nC @ 10 V
- Rise Time：13 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：80 V
- Vgs (Max)：±20V
- Product Type：MOSFET
- Transistor Type：1 N-Channel
- FET Feature：-
- Product Category：MOSFET
Со склада 2438
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты