(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NP35N055YUK-E1-AY
Изображение служит лишь для справки
NP35N055YUK-E1-AY
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Date Sheet
Lagernummer 6024
- 1+： $0.61310
- 10+： $0.57839
- 100+： $0.54566
- 500+： $0.51477
- 1000+： $0.48563
Zwischensummenbetrag $0.61310
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства：8-HSON
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：35A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：1W (Ta), 97W (Tc)
- Основной номер продукта：NP35N055
- Пакетная партия производителя：2500
- Производитель：Renesas Electronics
- Бренд：Renesas Electronics
- РХОС：Details
- Код упаковки производителя：PLSN0008KA-A8
- Артикул Производителя：NP35N055YUK-E1-AY
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.71
- Код упаковки компонента：HSON
- Серия：-
- Рабочая температура：175°C
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：8
- Название бренда：Renesas
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.7mOhm @ 18A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3360 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：57 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：55 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
- Ширина：5 mm
- Высота：1.45 mm
- Длина：5.4 mm
Со склада 6024
- 1+： $0.61310
- 10+： $0.57839
- 100+： $0.54566
- 500+： $0.51477
- 1000+： $0.48563
Итого $0.61310
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
