Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы 2SK2727-E
Изображение служит лишь для справки
2SK2727-E
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- -
- 10A, 500V, N-CHANNEL MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 1267
- 1+： $5.91362
- 10+： $5.57889
- 100+： $5.26310
- 500+： $4.96519
- 1000+： $4.68414
Zwischensummenbetrag $5.91362
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：SC-65, TO-3P, 3 PIN
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：2SK2727-E
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.23
- Код упаковки компонента：TO-3P
- Максимальный ток утечки (ID)：10 A
- Серия：*
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.95 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：40 A
- Минимальная напряжённость разрушения：500 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 1267
- 1+： $5.91362
- 10+： $5.57889
- 100+： $5.26310
- 500+： $4.96519
- 1000+： $4.68414
Итого $5.91362
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты