(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IMBG120R030M1HXTMA1
Изображение служит лишь для справки
IMBG120R030M1HXTMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Date Sheet
Lagernummer 563
- 1+： $11.03183
- 10+： $10.40738
- 100+： $9.81829
- 500+： $9.26254
- 1000+： $8.73824
Zwischensummenbetrag $11.03183
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-7-12
- Максимальная мощность рассеяния：300W (Tc)
- Основной номер продукта：IMBG120
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：56A (Tc)
- Прямоходящий ток вывода Id：56
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
- Время типичного задержки включения：11 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5.7 V
- Распад мощности：300 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 7 V, + 23 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：14 S
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：IMBG120R030M1H SP004463784
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：63 nC
- Торговое наименование：CoolSiC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：41 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：25 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：56 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：300
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：41mOhm @ 25A, 18V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5.7V @ 11.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2290 pF @ 800 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：63 nC @ 18 V
- Время подъема：14 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200 V
- Угол настройки (макс.)：+18V, -15V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N Channel
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 563
- 1+： $11.03183
- 10+： $10.40738
- 100+： $9.81829
- 500+： $9.26254
- 1000+： $8.73824
Итого $11.03183
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
