IMBG120R045M1HXTMA1

Name: Infineon Technologies IMBG120R045M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.6 (11 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Date Sheet

Lagernummer 316

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-7-12
Максимальная мощность рассеяния：227W (Tc)
Основной номер продукта：IMBG120
Mfr：Infineon Technologies
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：47A (Tc)
Прямоходящий ток вывода Id：47
MSL：MSL 1 - Unlimited
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5.7 V
Распад мощности：227 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 7 V, + 23 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：1000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：IMBG120R045M1H SP005349829
Производитель：Infineon
Бренд：Infineon Technologies
Зарядная характеристика ворот：46 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：45 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：47 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：227
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：63mOhm @ 16A, 18V
Втс(th) (Макс) @ Id：5.7V @ 7.5mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1527 pF @ 800 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：46 nC @ 18 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：1200 V
Угол настройки (макс.)：+18V, -15V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 316

Итого $0.00000