IPBE65R190CFD7AATMA1

Name: Infineon Technologies IPBE65R190CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (17 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7
Date Sheet

Lagernummer 30

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-7-11
Mfr：Infineon Technologies
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：14A (Tc)
Максимальная мощность рассеяния：77W (Tc)
Основной номер продукта：IPBE65
Квалификация：AEC-Q101
Прямоходящий ток вывода Id：14A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4.5 V
Распад мощности：77 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 40 C
Пакетная партия производителя：1000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：IPBE65R190CFD7A SP005398486
Производитель：Infineon
Бренд：Infineon Technologies
Зарядная характеристика ворот：28 nC
Торговое наименование：CoolMOS
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：190 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：14 A
Рабочая температура：-40°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：77W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：190mOhm @ 6.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 320μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1291 pF @ 400 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 30

Итого $0.00000