Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFZ44PBF-BE3
Изображение служит лишь для справки
IRFZ44PBF-BE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
- Date Sheet
Lagernummer 790
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства:TO-220AB
- Mfr:Vishay Siliconix
- Пакет:Tube
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:50A (Tc)
- Максимальная мощность рассеяния:150W (Tc)
- Основной номер продукта:IRFZ44
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:60 V
- Время типичного задержки включения:14 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4 V
- Распад мощности:150 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Вес единицы:0.068784 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:1000
- Монтажные варианты:Through Hole
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:IRFZ44PBF
- Производитель:Vishay
- Бренд:Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот:67 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:28 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:45 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:50 A
- Серия:-
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:Tube
- Подкатегория:MOSFETs
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:28mOhm @ 31A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1900 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:67 nC @ 10 V
- Время подъема:110 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 790
Итого $0.00000