(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IMBG120R350M1HXTMA1
Изображение служит лишь для справки
IMBG120R350M1HXTMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Date Sheet
Lagernummer 855
- 1+： $1.87160
- 10+： $1.76566
- 100+： $1.66572
- 500+： $1.57143
- 1000+： $1.48248
Zwischensummenbetrag $1.87160
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-7-12
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.7A (Tc)
- Максимальная мощность рассеяния：65W (Tc)
- Основной номер продукта：IMBG120
- Прямоходящий ток вывода Id：4.7
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5.7 V
- Распад мощности：65 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 7 V, + 23 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：5.9 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：468 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：4.7 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：65
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：468mOhm @ 2A, 18V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5.7V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：196 pF @ 800 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.9 nC @ 18 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200 V
- Угол настройки (макс.)：+18V, -15V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：Standard
Со склада 855
- 1+： $1.87160
- 10+： $1.76566
- 100+： $1.66572
- 500+： $1.57143
- 1000+： $1.48248
Итого $1.87160
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
