DXTN10060DFJBWQ-7

Name: Diodes Incorporated DXTN10060DFJBWQ-7
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.7 (19 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
3-UDFN Exposed Pad
TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Date Sheet

Lagernummer 20

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：3-UDFN Exposed Pad
Поставщик упаковки устройства：W-DFN2020-3 (Type A)
Mfr：Diodes Incorporated
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：4 A
Полярность транзистора：NPN
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：AEC-Q101
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：8 V
Распад мощности：1.8 W
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：250 at 10 mA, 2 V
Вес единицы：1.058219 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Параметр частотно-уровневого продукта fT：125 MHz
Производитель：Diodes Incorporated
Бренд：Diodes Incorporated
Максимальный постоянный ток сбора：4 A
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：550 at 10 mA, 2 V
РХОС：Details
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：60 V
Серия：Automotive, AEC-Q101
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Конфигурация：Single
Распад мощности：1.5
Мощность - Макс：1.8 W
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：340 @ 200mA, 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：320mV @ 200mA, 4A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：60 V
Частота перехода：300
Частота - Переход：125MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100 V
Прямоходящий ток коллектора：100
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 20

Итого $0.00000