Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы F411MR12W2M1B76BOMA1
Изображение служит лишь для справки
F411MR12W2M1B76BOMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
Date Sheet
Lagernummer 2307
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：Module
- Вид крепления：Chassis Mount
- Поставщик упаковки устройства：AG-EASY1B-2
- Основной номер продукта：F411MR
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100A (Tj)
- Состояние продукта：Obsolete
- Пакет：Tray
- Mfr：Infineon Technologies
- Число элементов на чипе：4
- Формат упаковки：AG-EASY2B
- Рабочая температура：-40°C ~ 150°C (TJ)
- Мощность - Макс：-
- Тип ТРВ：4 N-Channel (Half Bridge)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11.3mOhm @ 100A, 15V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5.55V @ 40mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7360pF @ 800V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：248nC @ 15V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V (1.2kV)
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
Со склада 2307
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты