SI7116BDN-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI7116BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (8 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK
Date Sheet

Lagernummer 13527

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18.4A (Ta), 65A (Tc)
Максимальная мощность рассеяния：5W (Ta), 62.5W (Tc)
Основной номер продукта：SI7116
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：PowerPAK 1212-8PT
Режим канала：Enhancement
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：65A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Время типичного задержки включения：10 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：62.5 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.017231 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：80 S
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：31.4 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：7.4 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：25 ns
Id - Непрерывный ток разряда：65 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：8
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：62.5W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.4mOhm @ 16A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1915 pF @ 20 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：48 nC @ 10 V
Время подъема：5 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 13527

Итого $0.00000