Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RD3L07BATTL1
Изображение служит лишь для справки
RD3L07BATTL1
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Date Sheet
Lagernummer 1846
- 1+： $2.53407
- 10+： $2.39063
- 100+： $2.25532
- 500+： $2.12766
- 1000+： $2.00722
Zwischensummenbetrag $2.53407
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：TO-252
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：70A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：101W (Ta)
- Прямоходящий ток вывода Id：70
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：DPAK (TO-252)
- Квалификация：-
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
- Время типичного задержки включения：24 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1 V
- Распад мощности：101 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 10 V, + 10 V
- Вес единицы：0.011640 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：2500
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：105 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：12.7 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：290 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：70 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：101
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12.7mOhm @ 70A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6700 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：105 nC @ 10 V
- Время подъема：93 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 P - Channel
- Канальный тип：P
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 1846
- 1+： $2.53407
- 10+： $2.39063
- 100+： $2.25532
- 500+： $2.12766
- 1000+： $2.00722
Итого $2.53407
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты