Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHB24N80AE-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHB24N80AE-GE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
- Date Sheet
Lagernummer 1166
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства:D2PAK (TO-263)
- Mfr:Vishay Siliconix
- Пакет:Tube
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:21A (Tc)
- Максимальная мощность рассеяния:208W (Tc)
- Основной номер продукта:SIHB24
- Число элементов на чипе:2
- Формат упаковки:D2PAK (TO-263)
- Режим канала:Enhancement
- Квалификация:-
- Прямоходящий ток вывода Id:21A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:800 V
- Время типичного задержки включения:21 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4 V
- Распад мощности:208 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Вес единицы:0.056438 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:1000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс:5.5 S
- Производитель:Vishay
- Бренд:Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот:59 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:184 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:29 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:21 A
- Серия:-
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование:Tube
- Подкатегория:MOSFETs
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:208W
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:184mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1836 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:89 nC @ 10 V
- Время подъема:44 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):800 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:E Series Power MOSFET
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 1166
Итого $0.00000