SSM3K341TU,LXHF

Name: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341TU,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 4.7 (17 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
3-SMD, Flat Leads
AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT323F
Date Sheet

Lagernummer 10709

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：3-SMD, Flat Leads
Поставщик упаковки устройства：UFM
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Пакет：Cut Tape (CT)
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：1W (Ta)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Время типичного задержки включения：63 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：1.8 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.000233 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：9.3 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：36 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：18 ns
Id - Непрерывный ток разряда：6 A
Серия：Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
Рабочая температура：175°C
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：36mOhm @ 4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：550 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.3 nC @ 10 V
Время подъема：48 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 10709

Итого $0.00000