SIZ256DT-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIZ256DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (14 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerWDFN
DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 3043

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11.5A (Ta), 31.8A (Tc)
Основной номер продукта：SIZ256
Число элементов на чипе：2
Формат упаковки：PowerPAIR 3 x 3S
Режим канала：Enhancement
Квалификация：-
Полярность транзистора：N Channel
Прямоходящий ток вывода Id：31.8A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：70 V
Время типичного задержки включения：18 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.5 V
Распад мощности：33 W
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 12 V, + 12 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：8.2 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：17.6 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：30 ns
Id - Непрерывный ток разряда：31.8 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Reel
Тип：Dual N-Channel 70 V (D-S) MOSFET
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Число контактов：8
Конфигурация：Dual
Каналов количество：1 Channel
Мощность - Макс：4.3W (Ta), 33W (Tc)
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：17.6mOhm @ 7A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1060pF @ 35V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：27nC @ 10V
Время подъема：35 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：70V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：Standard
Продукт：MOSFET
Категория продукта：MOSFET
Ширина：3.3 mm
Длина：3.3 mm

Со склада 3043

Итого $0.00000