(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM6N62TU,LXHF
Изображение служит лишь для справки
SSM6N62TU,LXHF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-SMD, Flat Leads
- SMOS LOW RON DUAL NCH ID:0.8A, V
Date Sheet
Lagernummer 37
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-SMD, Flat Leads
- Поставщик упаковки устройства：UF6
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：800mA (Ta)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：20 V
- Время типичного задержки включения：332 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1 V
- Квалификация：AEC-Q101
- Распад мощности：500 mW
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 8 V, + 8 V
- Минимальная температура работы：-
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Зарядная характеристика ворот：2 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：456 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：2653 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：800 mA
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура：150°C
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Мощность - Макс：500mW (Ta)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：85mOhm @ 800mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：177pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 1.2V Drive
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 37
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
