Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IAUC45N04S6L063HATMA1
Изображение служит лишь для справки
IAUC45N04S6L063HATMA1
- Infineon Technologies
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerVDFN
- IAUC45N04S6L063HATMA1
- Date Sheet
Lagernummer 4514
- 1+: $1.05240
- 10+: $0.99283
- 100+: $0.93663
- 500+: $0.88362
- 1000+: $0.83360
Zwischensummenbetrag $1.05240
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства:PG-TDSON-8-57
- Mfr:Infineon Technologies
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:45A (Tj)
- Основной номер продукта:IAUC45
- Формат упаковки:SuperSO8 5 x 6
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:AEC-Q101
- Полярность транзистора:N Channel
- Прямоходящий ток вывода Id:45A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
- Время типичного задержки включения:2 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2 V
- Распад мощности:41 W
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 16 V, + 16 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:5000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:IAUC45N04S6L063H SP004134516
- Производитель:Infineon
- Бренд:Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот:10 nC
- Торговое наименование:OptiMOS
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:6.3 mOhms
- Время задержки отключения типичного:6 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:59 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:Cut Tape
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Число контактов:8
- Каналов количество:1 Channel
- Мощность - Макс:41W (Tc)
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Half Bridge)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:6.3mOhm @ 22A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 9μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:775pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:13nC @ 10V
- Время подъема:1 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 4514
- 1+: $1.05240
- 10+: $0.99283
- 100+: $0.93663
- 500+: $0.88362
- 1000+: $0.83360
Итого $1.05240