SIS176LDN-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIS176LDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.9 (9 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Date Sheet

Lagernummer 11901

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：3.3V, 4.5V
Максимальная мощность рассеяния：3.6W (Ta), 39W (Tc)
Прямоходящий ток вывода Id：42.3
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：PowerPAK 1212-8
Режим канала：Enhancement
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：70 V
Время типичного задержки включения：10 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.6 V
Распад мощности：39 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 12 V, + 12 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：60 S
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：12.6 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：10.9 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：25 ns
Id - Непрерывный ток разряда：42.3 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：8
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：39
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.6V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1660 pF @ 35 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：19 nC @ 4.5 V
Время подъема：6 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：70 V
Угол настройки (макс.)：±12V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 11901

Итого $0.00000