SIR186LDP-T1-RE3

Name: Vishay Siliconix SIR186LDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.6 (8 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Date Sheet

Lagernummer 9704

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：5W (Ta), 57W (Tc)
Прямоходящий ток вывода Id：80.3
Число элементов на чипе：2
Формат упаковки：PowerPAK SO-8
Режим канала：Enhancement
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Время типичного задержки включения：11 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：57 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：54 S
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：31.5 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4.4 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：26 ns
Id - Непрерывный ток разряда：80.3 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：8
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：57
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.4mOhm @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1980 pF @ 30 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：48 nC @ 10 V
Время подъема：6 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 9704

Итого $0.00000