Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTMFS002P03P8ZT1G
Изображение служит лишь для справки
NTMFS002P03P8ZT1G
- onsemi
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN, 5 Leads
- MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
- Date Sheet
Lagernummer 310
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN, 5 Leads
- Поставщик упаковки устройства:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- Mfr:onsemi
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:40.2A (Ta), 263A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
- Прямоходящий ток вывода Id:263
- Число элементов на чипе:1
- Формат упаковки:SO-8FL
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3 V
- Распад мощности:138.9 W
- Полярность транзистора:P-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 25 V, + 25 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:1500
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Производитель:onsemi
- Бренд:onsemi
- Зарядная характеристика ворот:217 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:1.4 mOhms
- РХОС:Details
- Id - Непрерывный ток разряда:263 A
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:-
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:-
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:MOSFETs
- Число контактов:8
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:138.9
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.4mOhm @ 23A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:14950 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:217 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Тип продукта:MOSFET
- Канальный тип:P
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 310
Итого $0.00000