SSM3J168F,LXHF

Name: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 4.6 (20 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Date Sheet

Lagernummer 9877

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поставщик упаковки устройства：S-Mini
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：400mA (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：600mW (Ta)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Время типичного задержки включения：4.3 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：1.2 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 10 V
Минимальная температура работы：-
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：3 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2 Ohms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：31.7 ns
Id - Непрерывный ток разряда：400 mA
Серия：Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI
Рабочая температура：150°C
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.55Ohm @ 200mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：82 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：+10V, -20V
Тип продукта：MOSFET
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 9877

Итого $0.00000