IPN60R1K0PFD7SATMA1

Name: Infineon Technologies IPN60R1K0PFD7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.6 (5 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-261-4, TO-261AA
CONSUMER PG-SOT223-3
Date Sheet

Lagernummer 625

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
Поставщик упаковки устройства：PG-SOT223-4
Mfr：Infineon Technologies
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：6W (Tc)
Основной номер продукта：IPN60R
Прямоходящий ток вывода Id：4.7
Квалификация：-
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：31.3 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.057438 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：IPN60R1K0PFD7S SP005354000
Производитель：Infineon
Бренд：Infineon Technologies
Зарядная характеристика ворот：6 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1 Ohms
Id - Непрерывный ток разряда：5.2 A
Рабочая температура：-40°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：6
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1Ohm @ 1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 50μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：230 pF @ 400 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 625

Итого $0.00000