SIZF928DT-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIZF928DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.9 (9 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerWDFN
DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 4858

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Число элементов на чипе：2
Формат упаковки：PowerPAIR 6 x 5F
Режим канала：Enhancement
Квалификация：-
Полярность транзистора：N Channel
Прямоходящий ток вывода Id：248A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Время типичного задержки включения：40 ns, 80 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
Распад мощности：28 W, 74 W
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 12 V, + 16 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：28 nC, 116 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：3.8 mOhms, 1.2 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：45 ns, 90 ns
Id - Непрерывный ток разряда：88 A, 248 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Reel
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Число контактов：8
Конфигурация：Dual
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.45mOhm @ 10A, 10V, 750μOhm @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：-
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：-
Время подъема：185 ns, 190 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：2 N-Channel
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 4858

Итого $0.00000