SI2387DS-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (13 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Date Sheet

Lagernummer 671

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поставщик упаковки устройства：SOT-23-3 (TO-236)
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.1A (Ta), 3A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Прямоходящий ток вывода Id：3
Число элементов на чипе：2
Формат упаковки：SOT-23
Режим канала：Enhancement
Квалификация：-
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
Время типичного задержки включения：50 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：2.5 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：10.2 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：242 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：44 ns
Id - Непрерывный ток разряда：3 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：3
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：2.5
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：164mOhm @ 2.1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：395 pF @ 40 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10.2 nC @ 10 V
Время подъема：40 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：80 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 P-Channel
Канальный тип：P
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 671

Итого $0.00000