(0)
Изображение служит лишь для справки
2SCR533PHZGT100
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- TO-243AA
- TRANS NPN 50V 3A SOT89
Date Sheet
Lagernummer 200
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-243AA
- Поставщик упаковки устройства：SOT-89
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：3 A
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：AEC-Q101
- Полярность транзистора：NPN
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
- Распад мощности：500 mW
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：180 at 50 mA, 3 V
- Минимальная температура работы：-
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：320 MHz
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Максимальный постоянный ток сбора：3 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：450 at 50 mA, 3 V
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：2W
- Мощность - Макс：500 mW
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：180 @ 50mA, 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：350mV @ 50mA, 1A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
- Частота перехода：320MHz
- Частота - Переход：320MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
- Прямоходящий ток коллектора：3A
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 200
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
