(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NXH010P120MNF1PTNG
Изображение служит лишь для справки
NXH010P120MNF1PTNG
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
Date Sheet
Lagernummer 53
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：-
- Mfr：onsemi
- ：Tray
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：114A (Tc)
- Прямоходящий ток вывода Id：114
- Обратное напряжение：1200 V
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 15 V, + 25 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：28
- Монтажные варианты：Press Fit
- Производитель：onsemi
- Бренд：onsemi
- РХОС：N
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Тип：Half Bridge Module
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：SiC
- Распад мощности：250
- Мощность - Макс：250W (Tj)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：14mOhm @ 100A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.3V @ 40mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4707pF @ 800V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：454nC @ 20V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V (1.2kV)
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Продукт：Power MOSFET Modules
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 53
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
